CMOS-MEA陣列電極應(yīng)用CMOS技術(shù)。
應(yīng)用于快速高分辨率電生理成像技術(shù)。
分為培養(yǎng)細胞用和組織切片或鋪片用兩個型號的電極。
記錄電極呈65×65點陣排列,共4225個記錄電極。
刺激電極呈32×32點陣排列,共1024個刺激電極。
電極表面生物組織兼容性好。
電極有16μm和32μm兩種直徑。
電極材質(zhì):CMOS
電極直徑:16/32μm
記錄電極:65×65點陣排列(共4225個)
刺激電極:32×32點陣排列(共1024個)
電極間距:16/32μm
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